マイクロ・ナノ加工とその応用(1)
ネガ型電子ビームレジストを用いた三次元構造物の作製およびその応用
詳細
本研究は、ネガ型電子ビームレジストであるHydrogen Silsesquixane(HSQ)を用いて電子線描画装置における電子の加速電圧とレジストへの電子の進入深さの相互関係を利用し、電子の進入領域以外を現像液により除去することで、中空構造の作製条件を調査した。このことにより、三次元構造物を作製し、さらにその膜を用いて応用した。この応用がナノテクノロジー分野でのプロセスに利用できると考えている。
