直衝突型の低速イオン散乱分光法(CAICISS)は、固体最表面の元素分析と構造決定が同時におこなえる表面分析手法であり、また膜成長をその場観察することにも適している。しかしながら，散乱イオン検出器の動作真空度、及びイオンそれ自体の平均自由行程から、10-4Pa以下の真空度では測定が困難であった。今回試作した装置は、差動排気系を導入することにより、表面近傍の真空度を10-1Paまで低下させてもスペクトルを取得することが可能なCAICISSシステムである。このシステムを用いると、従来薄膜成長のモニターが困難であったCVDによる膜成長のモニターも可能になることから、低真空下での半導体薄膜成長のその場観察がおこなえる評価法として期待される。
