SrS:Ce薄膜EL素子の高輝度化を目的として、高いイオウ圧雰囲気でSrS:Ce発光 層を成膜した。X線回折の測定の結果、基板温度550℃で最も結晶性のよい薄膜が得られ た。しかし得られた最高輝度はイオウ圧、基板温度によらずほぼ500-600cd/m^2であった。 この試料をAr-S雰囲気中630℃で熱処理した結果、輝度は上昇し、最高輝度1000cd/m^2を 得た。X線回折、PLスペクトルを測定したところas deposited-試料に比べ、その強度が 著しく増大した。またSEM観察を行った結果、as deposited-素子とは異なる表面、及び 断面の形状が認められた.
