ロックイン画素において,フォトダイオードで発生した光電子を複数の電荷変調部に高速に転送するために,単位のロックイン素子を小さく構成し複数接続することが有用であるが,単位ロックイン素子を複数接続するほど,画素センサ全体の消費電力や暗電流が増えてくる.これを解決するために,本論文では大面積かつ高速に電荷転送ができるような電界が形成されたフォトダイオードに電荷排出制御ゲートと複数タップの電荷変調ゲートを組み合わせたロックイン画素を提案する.その大面積高速フォトダイオードを用いた3タップロックイン画素の電荷転送シミュレーション結果について報告する.
