GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発(第9回赤外放射の応用関連学会年会)
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GaSb/InAs Type-II超格子はHgCdTeに変わる量子型赤外線センサとして注目されている。われわれは静止軌道からの地球観測を目的とした人工衛星への搭載を目指し、カットオフ波長15μmのGaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサを開発している。本論文では、研究開発の第一段階として行ったGaSb/InAs超格子のエピタキシャル成長技術開発とpin構造赤外線センサのプロセス技術開発に関し報告する。今回試作した赤外線センサはカットオフ波長が6μmとなるよう超格子構造を設計したもので、1.0×10^<-4>A/cm^2以下の暗電流(逆方向バイアス<0.07V)と10%前後の量子効率が得られることを確認した。
