ELA(エキシマレーザアニール)結晶化技術を用いて形成したポリシリコン膜の結晶特性、TFT素子特性とレーザアニール条件との相関を検討した。その結果、結晶粒径の大きさを決定する要因としてエキシマレーザビームのプロファイル、パルス強度が大きく影響することがわかった。また、レーザ照射前のa-Si膜表面の自然酸化膜の有無によってもレーザ照射後の結晶粒の成長に影響を及ぼしていることが確認された。結晶粒径の不均一性は、TFT素子特性のばらつきに影響を及ぼす。その影響は、特に電界効果移動度が最大値になるレーザ照射領域で大きいため、TFT素子特性をより均一化するにはより厳密な制御が必要である
