富士通は, 1999年に世界に先駆けて0.5μmFFIAM;を出荷し,さらに2001年より0.35μm FRAMの量産も開始した.FRAMの製造では,従来のOMOS論理LSIプロセスとFRAM独自の強誘電体キャパシターの形威プロセスの融舎(混載化)が大きな課題であった.本稿では,FRAMの応屠分野について外観した後に,スパッタ法による強誘電体(ジルコン酸チタン酸鉛: PbZrTiO₃) の成膜技術,強誘電体キャパシタ-を形成する貴金属電極と強誘電体薄膜の加工技術,配線と層間膜形成条件時における強誘電体膜の劣化抑制技術など, FRAMとGMO$論理L$1の混載化技術について述べる.また最後に,将来のFRAMの技術展開について述べる.