ポーラスシリコンの発光
間接・直接遷移の枠を超えて
1997 年 66 巻 5 号 p. 437-443
詳細
1997 年 66 巻 5 号 p. 437-443
可視発光性ポーラスシリコン (PS) の形成過程,基本的性質,および発光特性と応用に関する研究の現状をまとめる, PSの発光波長は,陽極酸化後の光エッチングにより,赤から青まで連続的に制御できる.そのさい表面酸化はまったく進行しないことなどから,バンドギャップが増大したシリコン微結晶における可視域に共通の発光機構がうかがえる. PS発光ダイオードの外部量子効率は0.1%程度にまで向上し,屈折率制御性を生かした光共振器・導波路の動作も確認された.また発光に関連して,冷電子放出やメモリー効果なども見いだされた.これらの結果は,微結晶系に特有の光・電子機能が存在することを示唆する.
