1988 年 57 巻 11 号 p. 1666-1677
数年前から開発が始まったMOMBE (有機金属分子線エピタキシー)やガスソースMBEも,ようやくデバイスグレイドの膜質や界面特性を得るところまで開発が進んでいる.本稿では, GaAs系化合物半導体を中心に,これらのガスを原料に用いるMBEの開発の流れから,現状の膜質,界面特性,膜の成長機構デバイス特性を紹介する.また, MBE法やMOCVD法と比較することにより, MOM・BE法の特質を明確にする.さらに, MOMBE法を基礎にした新しい成長技術について,簡単に紹介する.