Zwei-Dimensionale Transiente Simulation des Einschaltverhaltens eines Planaren MOS-Transistors

Zusammenfassung

Auf Grund der steigenden Schaltgeschwindigkeiten integrierter Schaltkreise ist das Schaltverhalten von MOS-Transistoren von größter Bedeutung für den Bauelementhersteller. MOS-Transistoren finden nicht nur in herkömmlichen CMOS- Logik-Schaltungen Verwendung, sondern auch in Leistungsbauelementen (z.B: MOS gesteuerten Thyristoren). Wir zeigen daher eine vollständige zwei dimensionale transiente Simulation des Ein- und des Ausschaltvorganges eines planaren MOS- Transistors mit einer Kanallänge L _e ff=0.7μm. Die Simulation wurde mit dem Device Simulator BAMBI durchgeführt, der die drei Halbleitergleichungen mit Hilfe eines Newton- Algorithmus auf einem Rechteckortsgitter und einem Zeitgitter simultan löst [1,2].