Zusammenfassung
Da durch die Ionenimplantation neben einer gewünschten elektrischen Dotierung oder der gewünschten Veränderung von physikalischen oder chemischen Eigenschaften fast immer eine Anzahl unerwünschter Effekte auftreten, ist eine sorgfältige meßtechnische Untersuchung der implantierten Schichten notwendig. Im Fall der Dotierung von Halbleitern betrifft dies vor allem den Einfluß von Strahlenschäden und die elektrische Aktivierung der implantierten Ionen.
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© 1978 B. G. Teubner, Stuttgart
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Ryssel, H., Ruge, I. (1978). Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten. In: Ionenimplantation. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3_5
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-05668-3_5
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-03206-9
Online ISBN: 978-3-663-05668-3
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