Zusammenfassung
Bei Bipolartransistoren (BJT) findet der gesteuerte Stromfluss über jeweils zwei Sperrschichten statt, an der Wirkungsweise des Transistors sind Elektronen und Löcher, also Ladungsträger beider Polarität, beteiligt.
Auch der Feldeffekttransistor (FET \(=\) Field-Effect-Transistor) ist ein Halbleiterbauelement. Feldeffekttransistoren haben aber nur eine einzige interne Sperrschicht. Beim FET trägt zur Steuerung und zum Stromtransport je nach Bauart nur eine Sorte von Ladungsträgern bei, Elektronen oder Löcher. Daher werden FETs auch als Unipolartransistoren (unijunction transistor, UJT) bezeichnet.
FET haben wie Bipolartransistoren drei Anschlüsse. Diese werden wie folgt bezeichnet (siehe auch Tab. 6.1):
-
Source (S), dies ist die Quelle oder Quellenelektrode, entspricht beim BJT dem Emitter
-
Drain (D), dies ist die Senke oder Senkenelektrode, entspricht beim BJT dem Kollektor
-
Gate (G), dies ist die Steuerelektrode, entspricht beim BJT der Basis.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Notes
- 1.
Man beachte die grundlegend verschiedene Definition des Wortes „Sättigungsbereich “ beim Bipolartransistor und beim FET. Im Sättigungsbereich des bipolaren Transistors tritt eine Sättigung von Ladungsträgern auf, da die Kollektor -Emitter-Spannung nicht groß genug ist, um die in die Basis -Kollektor-Grenzschicht diffundierenden Ladungsträger abzusaugen. Beim FET nimmt im Sättigungsbereich der Drainstrom einen fast konstanten, gesättigten Wert an.
- 2.
Chemical Vapor Deposition = chemische Gasphasenabscheidung.
- 3.
In Abschn. 6.11.6 wird das Schaltverhalten von Leistungs-MOSFETs im Vergleich mit IGBTs betrachtet.
- 4.
Die Bezeichnung DMOSFET wird hier vermieden, um eine Verwechslung mit Depletion MOSFET (Verarmungstyp) zu vermeiden.
Author information
Authors and Affiliations
Corresponding author
Rights and permissions
Copyright information
© 2019 Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature
About this chapter
Cite this chapter
Stiny, L. (2019). Feldeffekttransistoren. In: Aktive elektronische Bauelemente. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-24752-2_6
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-658-24752-2_6
Published:
Publisher Name: Springer Vieweg, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-658-24751-5
Online ISBN: 978-3-658-24752-2
eBook Packages: Computer Science and Engineering (German Language)