Zusammenfassung
Am übersichtlichsten sind die Verhältnisse in einer Hochvakuumdiode, weshalb zunächst das Schrotrauschen in dieser beschrieben wird. Abbildung 27 zeigt schematisch eine Hochvakuumdiode, für die wir annehmen, daß die angelegte Spannung U B so hoch sei, daß alle aus der Glühkathode K austretenden Elektronen „sofort“ zur Anode A hin abgesaugt werden; man befinde sich im Sättigungsstrombereich. Ein einzelnes Elektron ruft in der (äußeren) Stromzuführung einen Influenzstrom (z.B. [11, Abschnitt 7.2]) hervor, der wegen der linear mit der Zeit zunehmenden Geschwindigkeit dem in Abb. 28 rechts gezeigten Verlauf entspricht; der Stromimpuls hat die Dauer Tτ (Laufzeit von K nach A) und eine Fläche ∫idt = e, wobei e die Elementarladung ist.
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© 1990 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
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Müller, R. (1990). Schrotrauschen. In: Rauschen. Halbleiter-Elektronik, vol 15. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-61501-6_5
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