Skip to main content
SpringerLink
Log in
Book cover

Gallium Nitride Electronics pp 139–196Cite as

Device Processing Technology

  • Chapter

Part of the book series: Springer Series in Materials Science ((SSMATERIALS,volume 96))

Abstract

Chapter 4 is dedicated to processing technology. Currently a major focus of development is devoted to high electron mobility transistors (HEMTs) with gate lengths down to 30\,nm and cut-off frequencies up to 190\,GHz. Thus, for this class of devices, specific field-effect transistor problems such as Schottky and ohmic contacts, and lithography of optically transparent materials are discussed. State-of-the art recess processes and passivation technologies are analyzed. Bipolar device technology issues are reviewed.

This is a preview of subscription content, log in via an institution.

Chapter
USD   29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD   169.00
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
Softcover Book
USD   219.99
Price excludes VAT (USA)
  • Compact, lightweight edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info
Hardcover Book
USD   219.99
Price excludes VAT (USA)
  • Durable hardcover edition
  • Dispatched in 3 to 5 business days
  • Free shipping worldwide - see info

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Learn about institutional subscriptions

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. V. Adivarahan, M. Gaevski, M. Islam, B. Zhang, Y. Deng, M. Khan, IEEE Trans. Electron Devices 55, 495 (2008)

    CAS  Google Scholar 

  2. V. Adivarahan, A. Koudymov, S. Rai, J. Yang, G. Simin, M. Khan, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 177–178

    Google Scholar 

  3. V. Adivarahan, J. Yang, A. Koudymov, G. Simin, M. Khan, IEEE Electron Device Lett. 26, 535 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  4. V. Agarwal, D. Rawal, H. Vyas, J. Electrochem. Soc. 152, G567 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  5. Y. Ando, Y. Okamoto, K. Hataya, T. Nakayama, H. Miyamoto, T. Inoue, M. Kuzuhara, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 563–566

    Google Scholar 

  6. Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, N. Hayama, T. Nakayama, K. Kasahara, M. Kuzuhura, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 381–384

    Google Scholar 

  7. Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue, M. Kuzuhara, IEEE Electron Device Lett. 24, 289 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  8. Y. Ando, A. Wakejima, Y. Okamoto, T. Nakayama, K. Ota, K. Yamanoguchi, Y. Murase, K. Kasahara, K. Matsunaga, T. Inoue, H. Miyamoto, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 576–579

    Google Scholar 

  9. J. Ao, D. Kikuta, N. Kubota, Y. Naoi, Y. Ohno, IEEE Electron Device Lett. 24, 500 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  10. C. Bae, C. Krug, G. Lucovsky, A. Chakraborty, U. Mishra, J. Appl. Phys. 96, 2674 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  11. K. Ban, H. Hong, D. Noh, T. Seong, J. Song, D. Kim, Semicond. Sci. Technol. 20, 921 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  12. J. Bardwell, I. Foulds, B. Lamontagne, H. Tang, J. Webb, P. Marshall, S. Rolfe, J. Stapledon, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 750 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  13. J. Bardwell, I. Foulds, J. Webb, H. Tang, J. Electron. Mater. 28, 1071 (1999)

    Google Scholar 

  14. J. Bardwell, S. Haffouz, W. McKinnon, C. Storey, H. Tang, G. Sproule, D. Roth, R. Wang, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H46 (2007)

    CAS  Google Scholar 

  15. D. Basak, M. Verdu, M. Montojo, M. Sanchez-Garcia, F. Sanchez, E. Munoz, E. Calleja, Semicond. Sci. Technol. 12, 1654 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  16. F. Benkhelifa, R. Kiefer, S. Müller, F. van Raay, R. Quay, R. Sah, M. Mikulla, G. Weimann, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 8.4

    Google Scholar 

  17. J. Bernat, P. Javorka, A. Fox, M. Marso, H. Lüth, P. Kordos, Solid-State Electron. 47, 2097 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  18. S. Binari, H. Dietrich, G. Kelner, L. Rowland, K. Doverspike, D. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994)

    CAS  Google Scholar 

  19. S. Binari, H. Dietrich, G. Kelner, L. Rowland, K. Doverspike, D. Wickenden, J. Appl. Phys. 78, 3008 (1995)

    CAS  Google Scholar 

  20. S. Binari, K. Ikossi, J. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. Dietrich, D. Koleske, A. Wickenden, R.L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  21. S. Binari, P. Klein, T. Kazior, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 1823–1826

    Google Scholar 

  22. S. Binari, W. Kruppa, H. Dietrich, G. Kelner, A. Wickenden, J. Freitas, Solid-State Electron. 41, 1549 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  23. K. Boutros, M. Regan, P. Rowell, D. Gotthold, B. Brar, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 23–26

    Google Scholar 

  24. S. Bradley, A. Young, L. Brillson, M. Murphy, W. Schaff, L. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 48, 412 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  25. N. Braga, R. Mickevicius, V. Rao, W. Fichtner, R. Gaska, M. Shur, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 149–152

    Google Scholar 

  26. H. Brech, W. Brakensiek, D. Burdeaux, W. Burger, C. Dragon, G. Formicone, B. Pryor, D. Rice, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 359–362

    Google Scholar 

  27. D. Buttari, A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, P. Chavarkar, R. Coffie, N. Zhang, S. Heikman, L. Shen, H. Xing, C. Zheng, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 23, 118 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  28. D. Buttari, A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, B. Moran, S. Heikman, N. Zhang, L. Shen, R. Coffie, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 23, 76 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  29. D. Buttari, A. Chini, T. Palacios, R. Coffie, L. Shen, H. Xing, S. Heikman, L. McCarthy, A. Chakraborty, S. Keller, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 83, 4779 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  30. Y. Cai, Y. Zhou, K. Chen, K. Lau, IEEE Electron Device Lett. 26, 435 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  31. P. Chabert, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 212 (2001)

    Google Scholar 

  32. P. Chabert, N. Proust, J. Perrin, R. Boswell, Appl. Phys. Lett. 76, 2310 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  33. C. Chen, S. Keller, G. Parish, R. Vetury, P. Kozodoy, E. Hu, S. DenBaars, U. Mishra, Y. Wu, Appl. Phys. Lett. 73, 3147 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  34. K. Cheng, J. Lee, J. Lyding, Y. Kim, Y. Kim, K.P. Suh, IEEE Electron Device Lett. 22, 188 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  35. M. Chertouk, M. Dammann, K. Köhler, G. Weimann, IEEE Electron Device Lett. 21, 97 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  36. R. Cheung, S. Withanage, R. Reeves, S. Brown, I. Ben-Yaacov, C. Kirchner, M. Kamp, Appl. Phys. Lett. 74, 3185 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  37. A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, S. Heikmann, S. Keller, U. Mishra, Electron. Lett. 40, 73 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  38. A. Chini, D. Buttari, R. Coffie, L. Shen, S. Heikman, A. Chakraborty, S. Keller, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 229 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  39. A. Chini, J. Wittich, S. Heikman, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 55 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  40. H. Cho, K. Lee, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, F. Ren, Solid-State Electron. 47, 1597 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  41. H. Cho, K. Lee, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, F. Ren, Solid-State Electron. 47, 1757 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  42. H. Cho, P. Leeungsnawarat, D. Hays, S. Pearton, S. Chu, R. Strong, C. Zetterling, M. Östling, Appl. Phys. Lett. 76, 739 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  43. H. Cho, C. Vartuli, C. Abernathy, S. Donovan, S. Pearton, R. Schul, J. Han, Solid-State Electron. 42, 2277 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  44. H. Chou, T. Lee, S. Huang, H. Weng, M. Tsai, J. Lee, M. Chertouk, D. Tu, P. Chao, C. Wu, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Scottsdale, 2003, p. 10.2

    Google Scholar 

  45. C. Chu, C. Yu, Y. Wang, J. Tsai, F. Lai, S. Wang, Appl. Phys. Lett. 77, 3423 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  46. E. Chumbes, J. Smart, T. Prunty, J. Shealy, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2000, pp. 385–388

    Google Scholar 

  47. R. Coffie, D. Buttari, S. Heikmann, S. Keller, A. Chini, L. Shen, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 23, 588 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  48. R. Coffie, L. Shen, G. Parish, A. Chini, D. Buttari, S. Heikman, S. Keller, U. Mishra, Electron. Lett. 39, 1419 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  49. X. Dang, E. Yu, E. Piner, B. McDermott, J. Appl. Phys. 90, 1357 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  50. Y. Dora, A. Chakraborty, S. Heikman, L. McCarthy, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 7, 529 (2006)

    Google Scholar 

  51. Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 713 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  52. Y. Dora, C. Suh, A. Chakraborty, S. Heikman, S. Chandrasekarana, V. Mehrotra, U. Mishra, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2005, pp. 191–192

    Google Scholar 

  53. D. Dumka, C. Lee, H. Tserng, P. Saunier, M. Kumar, Electron. Lett. 40, 1023 (2003)

    Google Scholar 

  54. R. Dupuis, C. Eiting, P. Grundowski, H. Hsia, Z. Tang, D. Becher, H. Kuo, G. Stillman, M. Feng, J. Electron. Mater. 28, 319 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  55. L. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. Green, E. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. Schaff, J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  56. C. Eddy, B. Molnar, J. Electron. Mater. 28, 314 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  57. A. Edwards, J. Mittereder, S. Binari, D. Katz, D. Storm, J. Roussos, IEEE Electron Device Lett. 26, 225 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  58. T. Egawa, G. Zhao, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Jimbo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 603 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  59. A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mikura, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2255 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  60. A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M.H.A. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2255 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  61. D. Fanning, L. Witkowski, J. Stidham, H. Tserng, M. Muir, P. Saunier, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, San Diego, 2002, pp. 83–86

    Google Scholar 

  62. D. Fanning, L. Witkowski, C. Lee, D. Dumka, H. Tserng, P. Saunier, W. Gaiewski, E. Piner, K. Linthicum, J. Johnson, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 8.3

    Google Scholar 

  63. G. Franz, Phys. Stat. Sol. A 159, 137 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  64. M. Fu, V. Sarvepalli, R. Singh, C. Abernathy, X. Cao, S. Pearton, J. Sekhar, Solid-State Electron. 42, 2335 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  65. B. Gaffey, L. Guido, X. Wang, T. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  66. D. Gao, M. Wijesundara, C. Carraro, R. Howe, R. Maboudian, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 513 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  67. B. Gila, J. Kim, B. Luo, A. Onstine, W. Johnson, F. Ren, C. Abernathy, S. Pearton, Solid-State Electron. 47, 2139 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  68. J. Gillespie, A. Crespo, R. Fitch, G. Jessen, D. Langley, N. Moser, D. Via, M. Williams, M. Yannazzi, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 13.2

    Google Scholar 

  69. S. Golka, W. Schrenk, G. Strasser, in Proceedings of German Microwave Forum, Vienna, 2005, pp. 189–192

    Google Scholar 

  70. D. Gotthold, S. Guo, R. Birkhahn, B. Albert, D. Florescu, B. Peres, J. Electron. Mater. 33, 408 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  71. J. Graff, E. Schubert, A. Osinsky, in Proceedings of IEEE/Cornell Conference on High Performance Devices, Ithaca, 2000, pp. 28–32

    Google Scholar 

  72. B. Green, K. Chu, E. Chumbes, J. Smart, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  73. J. Grenko, C. Reynolds, R. Schlesser, K. Bachmann, Z. Rietmeier, R. Davis, Z. Sitar, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 9, (2004)

    Google Scholar 

  74. R. Grundbacher, R. Lai, M. Nishimoto, T. Chin, Y. Chen, M. Barsky, T. Block, D. Streit, IEEE Electron Device Lett. 20, 517 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  75. J. Guo, F. Pan, M. Feng, R. Guo, P. Chou, C. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996)

    CAS  Google Scholar 

  76. Q. Guo, O. Kato, A. Yoshida, J. Electrochem. Soc. 139, 2008 (1992)

    CAS  Google Scholar 

  77. E. Haberer, C.H. Chen, A. Abare, M. Hansen, S. DenBaars, L. Coldren, U. Mishra, E. Hu, Appl. Phys. Lett. 76, 3941 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  78. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993)

    CAS  Google Scholar 

  79. M. Hampson, S. Shen, R. Schwindt, R. Price, U. Chowdhury, M. Wong, T. Zhu, D. Yoo, R. Dupuis, M. Feng, IEEE Electron Device Lett. 25, 238 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  80. P. Hansen, L. Shen, Y. Wu, A. Stonas, Y. Terao, S. Heikman, D. Buttari, T. Taylor, S. DenBaars, U. Mishra, R. York, J. Speck, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2479 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  81. W. Hanson, R. Borges, J. Brown, J. Cook, T. Gehrke, J. Johnson, K. Linthicum, S. Peters, E. Piner, P. Rajagopal, J. Robert, S. Singhal, R. Therrien, A. Vescan, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 107–110

    Google Scholar 

  82. P. Hartlieb, R. Davies, R. Nemanich, in Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device, ed. by P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (Wiley-VCH, Weinheim, 2003), Chap. 10, pp. 491–523

    Google Scholar 

  83. T. Hashizume, J. Kotani, H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 84, 4884 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  84. T. Hashizume, S. Ootomo, H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  85. T. Hashizume, S. Ootomo, T. Inakagi, H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1828 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  86. T. Hattori, G. Nakamura, S. Nomura, T. Ichise, A. Masuda, H. Matsumura, in GaAs IC Symposium Technical Digest, Anaheim, 1997, pp. 78–80

    Google Scholar 

  87. N. Hefyene, S. Cristoloveanu, G. Ghibaudo, P. Gentil, Y. Moriyasu, T. Morishita, M. Matsui, A. Yasujima, Solid-State Electron. 44, 1711 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  88. H. Hendriks, J. Crites, G. D’Urso, R. Fox, T. Lepkowski, B. Patel, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Las Vegas, 2001, pp. 181–184

    Google Scholar 

  89. M. Higashiwaki, N. Hirose, T. Matsui, IEEE Electron Device Lett. 26, 139 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  90. M. Higashiwaki, N. Hirose, T.M.A. Mimura, J. Appl. Phys. 100, 033714 (2006)

    Google Scholar 

  91. M. Higashiwaki, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L475 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  92. M. Higashiwaki, T. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L1111 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  93. M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Mimura, in Device Research Conference, State College PA, 2006, pp. 149–150

    Google Scholar 

  94. M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Mimura, IEEE Electron Device Lett. 27, 16 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  95. M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1566 (2007)

    CAS  Google Scholar 

  96. M. Hikita, M. Yanagihara, K. Nakazawa, H. Ueno, Y. Hirose, T. Ueda, Y. Uemoto, T. Tanaka, D. Ueda, T. Egawa, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1963 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  97. J. Hilsenbeck, Dissertation, Technische Universität Karlsruhe, 2001

    Google Scholar 

  98. J. Hilsenbeck, F. Lenk, R. Lossy, J. Würfl, K. Köhler, H. Obloh, in Proceedings of the International Symposium on Compound Semiconductors, Monterey, 2000, pp. 351–356

    Google Scholar 

  99. J. Hilsenbeck, W. Rieger, E. Neubauer, W. John, G. Tränkle, J. Würfl, A. Ramakrishan, H. Obloh, Phys. Stat. Sol. A 176, 183 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  100. J. Hilsenbeck, W. Rieger, J. Würfl, R. Dimitrov, O. Ambacher, in Proceedings of the International Symposium on Compound Semiconductors, Berlin, 1999, pp. 507–510

    Google Scholar 

  101. J. Hong, J. Lee, C. Vartuli, J. Mackenzie, S. Donovan, C. Abernathy, R. Crockett, S. Pearton, J. Zolper, Solid-State Electron. 41, 681 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  102. S. Hsu, D. Pavlidis, in GaAs IC Symposium Technical Digest, San Diego, 2003, pp. 119–122

    Google Scholar 

  103. H. Huang, C. Kao, J. Tsai, C. Yu, C. Chu, J. Lee, S. Kuo, C. Lin, H. Kuo, S. Wang, Mater. Sci. Eng. B 107, 237 (2004)

    Google Scholar 

  104. J. Hwang, W. Schaff, B. Green, H. Cha, L. Eastman, Solid-State Electron. 48, 363 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  105. J. Ibbetson, P. Fini, K. Ness, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  106. S. Inaba, K. Okano, S. Matsuda, M. Fujiwara, A. Hokazono, K. Adachi, K. Ohuchi, H. Suto, H. Fukui, T. Shimizu, S. Mori, H. Oguma, A. Murakoshi, T. Itani, T. Iinuma, T. Kudo, H. Shibata, S. Taniguchi, T. Matsushita, S. Magoshi, Y. Watanabe, M. Takayanagi, A. Azuma, H. Oyamatsu, K. Suguro, Y. Katsumata, Y. Toyoshima, H. Ishiuchi, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 641–644

    Google Scholar 

  107. K. Inoue, Y. Ikeda, H. Masato, T. Matsuno, K. Nishii, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 577–580

    Google Scholar 

  108. Y. Irokawa, J. Kim, F. Ren, K. Baik, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, C. Pan, G. Chen, J. Chyi, S. Park, Solid-State Electron. 48, 827 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  109. J. Izpura, Semicond. Sci. Technol. 17, 1293 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  110. C. Jeon, H. Jang, J. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 391 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  111. C. Jeon, J. Lee, J. Appl. Phys. 95, 698 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  112. C. Jeong, D. Kim, K. Kim, G. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 6206 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  113. G. Jessen, R. Fitch, J. Gillespie, G. Via, N. Moser, M. Yannuzzi, A. Crespo, R. Dettmer, T. Jenkins, in GaAs IC Symposium Technical Digest, San Diego, 2003, pp. 277–279

    Google Scholar 

  114. J. Johnson, J. Gao, K. Lucht, J. Williamson, C. Strautin, J. Riddle, R. Therrien, P. Rajagopal, J. Roberts, A. Vescan, J. Brown, A. Hanson, S. Singhal, R. Borges, E. Piner, K. Linthicum, Proc. Electrochem. Soc. 7, 405 (2004)

    Google Scholar 

  115. J. Johnson, A. Zhang, W. Luo, F. Ren, S. Pearton, S. Park, Y. Park, J. Chyi, IEEE Trans. Electron Devices 49, 32 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  116. H. Kambayashi, T. Wada, N. Ikeda, S. Yoshida, in GaN, AlN, InN and Related Materials, ed. by M. Kuball, T. Myers, J. Redwing, T. Mukai. Materials Research Society Symposium Proceedings vol. 892, Warrendale PA, 2006, p. FF05-03

    Google Scholar 

  117. Y. Kamo, T. Kunii, H. Takeuchi, Y. Yamamoto, M. Totsuka, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, T. Oku, A. Inoue, T. Nanjo, H. Chiba, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, Y. Tsuyama, R. Shirahana, H. Ohtsuka, K. Iyomasa, K. Yamanaka, M. Hieda, M. Nakayama, T. Ishikawa, T. Takagi, K. Marumoto, Y. Matsuda, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 495–498

    Google Scholar 

  118. M. Kanamura, T. Kikkawa, T. Iwai, K. Imanishi, T. Kubo, K. Joshin, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 572–575

    Google Scholar 

  119. B. Kang, R. Mehandru, S. Kim, F. Ren, R. Fitch, J. Gillespie, N. Moser, G. Jessen, T. Jenkins, R. Dettmer, D. Via, A. Crespo, B. Gila, R. Abernathy, S. Pearton, Appl. Phys. Lett. 84, 4635 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  120. S. Karmalkar, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 73 (2001)

    Google Scholar 

  121. T. Kato, K. Hayashi, Y. Sasaki, T. Kato, IEEE Trans. Electron Devices 34, 753 (1987)

    Google Scholar 

  122. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  123. H. Kawaura, T. Sakamoto, T. Baba, Y. Ochiai, J. Fujita, J. Sone, IEEE Trans. Electron Devices 47, 856 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  124. S. Keller, Y. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. Xu, B. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 552 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  125. F. Khan, B. Roof, I. Adesida, J. Electron. Mater. 3, 212 (2001)

    Google Scholar 

  126. R. Kiefer, R. Quay, S. Müller, K. Köhler, F. van Raay, B. Raynor, W. Pletschen, H. Massler, S. Ramberger, M. Mikulla, G. Weimann, in Proceedings of Lester Eastman Conference on High Performance Devices, Newark, 2002, pp. 502–504

    Google Scholar 

  127. T. Kikkawa, M. Nagahara, T. Kimura, S. Yokokawa, S. Kato, M. Yokoyama, Y. Tateno, K. Horino, K. Domen, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 1815–1818

    Google Scholar 

  128. T. Kikkawa, M. Nagahara, N. Okamoto, Y. Tateno, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, P. Asbeck, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 585–588

    Google Scholar 

  129. B. Kim, J. Lee, H. Park, Y. Park, T. Kim, J. Electron. Mater. 27, L32 (1997)

    Google Scholar 

  130. H. Kim, J. Lee, W. Lu, Phys. Stat. Sol. A 202, 841 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  131. H. Kim, R. Thompson, V. Tilak, T. Prunty, J. Shealy, L. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 24, 421 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  132. J. Kim, F. Ren, B. Gila, C. Abernathy, S. Pearton, Appl. Phys. Lett. 82, 739 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  133. J. Kim, J. Je, J. Lee, Y. Park, T. Kim, I. Jung, B. Lee, J. Lee, J. Electron. Mater. 30, L8 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  134. S. Kim, B. Bang, F. Ren, J. D’Entremont, J. Blumenfeld, T. Cordock, S. Pearton, J. Electron. Mater. 33, 477 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  135. P. Klein, S. Binari, J. Freitas, A. Wickenden, J. Appl. Phys. 88, 2843 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  136. P. Klein, S. Binari, K. Ikosso-Anastasiou, A. Wickenden, D. Koleske, R. Henry, D. Katzer, Electron. Lett. 37, 661 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  137. Y. Knafo, I. Toledo, I. Hallakoun, J. Kaplun, G. Bunin, T. Baksht, B. Hadad, Y. Shapira, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 13.4

    Google Scholar 

  138. E. Kohn, in Proceedings of SODC, Nanjing, 2000, pp. 13–16

    Google Scholar 

  139. G. Koley, V. Tilak, L. Eastman, M. Spencer, IEEE Trans. Electron Devices 50, 886 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  140. N. Kolias, T. Kazior, in IMS Workshop Advances in GaN-based Device and Circuit Technology: Modeling and Applications, Fort Worth, 2004

    Google Scholar 

  141. P. Kordos, J. Bernat, D. Gregusova, M. Marso, H. Lüth, Semicond. Sci. Technol. 21, 67 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  142. P. Kordos, J. Bernat, M. Marso, H. Lüth, F. Rampazzo, G. Tamiazzo, R. Pierobon, G. Meneghesso, Appl. Phys. Lett. 86, 253511 (2005)

    Google Scholar 

  143. A. Koudymov, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Khan, IEEE Electron Device Lett. 26, 704 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  144. A. Koudymov, G. Simin, M. Khan, A. Tarakji, R. Gaska, M. Shur, IEEE Electron Device Lett. 24, 680 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  145. P. Kozodoy, J. Ibbetson, H. Mar, P. Fini, S. Keller, J. Speck, S. DenBaars, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  146. O. Krüger, C. Scholz, R. Grundmüller, H. Wittrich, P. Wolter, J. Würfl, G. Tränkle, in Euro-Med. Symposium on Laser Induced Breakdown Spectroscopy, Crete, 2003, p. 22

    Google Scholar 

  147. S. Kucheyev, J. Williams, S. Pearton, Mat.Sci.Eng. R 33, 51 (2001)

    Google Scholar 

  148. V. Kumar, J. Lee, A. Kuliev, R. Schwindt, R. Birkhahn, D. Gotthold, S. Guo, B. Albert, I. Adesida, Electron. Lett. 39, 1609 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  149. V. Kumar, W. Lu, F. Khan, R. Schwindt, A. Kuliev, J.Y.M. Khan, I. Adesida, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 573–576

    Google Scholar 

  150. V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. Khan, I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 23, 455 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  151. T. Kunii, M. Totsuka, Y. Kamo, Y. Yamamoto, H. Takeuchi, Y. Shimada, T. Shiga, H. Minami, T. Kitano, S. Miyakuni, S. Nakatsuka, A. Inoue, T. Oku, T. Nanjo, T. Oishi, T. Ishikawa, Y. Matsuda, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Monterey, 2004, pp. 197–200

    Google Scholar 

  152. B. Lee, S. Jung, J. Lee, Y. Park, M. Paek, K. Cho, Semicond. Sci. Technol. 16, 471 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  153. C. Lee, P. Saunier, H. Tserng, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 177–180

    Google Scholar 

  154. C. Lee, H. Kao, Appl. Phys. Lett. 76, 2364 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  155. J. Lee, D. Liu, H. Kim, W. Lu, Solid-State Electron. 48, 1855 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  156. J. Lee, K. Chang, I. Lee, S. Park, J. Electrochem. Soc. 147, 1859 (2000)

    Google Scholar 

  157. J. Lee, C. Huh, D. Kim, S. Park, Semicond. Sci. Technol. 18, 530 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  158. H. Leier, A. Wieszt, R. Bethasch, H. Tobler, A. Vescan, R. Dietrich, A. Schurr, H. Sledzik, J. Birbeck, R. Balmer, T. Martin, in Proceedings of European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, London, 2001, pp. 49–52

    Google Scholar 

  159. B. Leung, N. Chan, W. Fong, C. Zhu, S. Ng, H. Lui, K. Tong, C. Surya, L. Lu, W. Ge, IEEE Trans. Electron Devices 49, 314 (2003)

    Google Scholar 

  160. C. Lin, W. Wang, P. Lin, C. Lin, Y. Chang, Y. Chan, IEEE Electron Device Lett. 26, 710 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  161. M. Lin, Z. Fan, Z. Ma, L. Allen, H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 887 (1994)

    CAS  Google Scholar 

  162. M. Lin, Z. Ma, F. Huang, Z. Fan, L. Allen, H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994)

    CAS  Google Scholar 

  163. Q. Liu, S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  164. T. Lodhi, J. McMonagle, R. Davis, D. Brookbanks, S. Combe, M. Clausen, M.F. O’Keefe, A. Collar, J. Atherton, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, San Antonio, 2006, pp. 125–128

    Google Scholar 

  165. R. Lossy, P. Heymann, J. Würfl, N. Chaturvedi, S. Müller, K. Köhler, in Proceedings of European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Milano, 2002, pp. 23–27

    Google Scholar 

  166. R. Lossy, J. Hilsenbeck, J. Würfl, K. Köhler, H. Obloh, Phys. Stat. Sol. A 188, 263 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  167. R. Lossy, A. Liero, O. Krüger, J. Wüerl, G. Tränkle, Phys. Stat. Sol. C 3, 482 (2005)

    Google Scholar 

  168. R. Lossy, A. Liero, J. Würfl, G. Tränkle, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 580–582

    Google Scholar 

  169. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. Gila, A. Onstine, C. Abernathy, S. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhan, B. Peres, R. Fitch, N. Moser, J. Gillispie, G. Jessen, T. Jenkins, M. Yannuzi, G. Via, A. Crespo, Solid-State Electron. 47, 1781 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  170. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. Gila, A. Onstine, C. Abernathy, S. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhan, B. Peres, R. Fitch, N. Moser, J. Gillispie, G. Jessen, T. Jenkins, M. Yannuzi, G. Via, A. Crespo, Solid-State Electron. 48, 355 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  171. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. Gila, A. Onstine, C. Abernathy, S. Pearton, R. Fitch, J. Gillespie, R. Dellmer, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, Solid-State Electron. 46, 2185 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  172. L. Ma, K. Adeni, C. Zeng, Y. Jin, K. Dandu, Y. Saripalli, M. Johnson, D. Barlage, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 2006, pp. 105–109

    Google Scholar 

  173. T. Makimoto, Y. Yamauchi, K. Kumakura, Appl. Phys. Lett. 84, 1964 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  174. K. Matocha, R. Gutmann, T. Chow, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1200 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  175. L. McCarthy, I. Smorchkova, H. Xing, P. Kozodoy, P. Fini, J. Limb, D. Pulfrey, J. Speck, M. Rodwell, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 543 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  176. G. Meneghesso, A. Chini, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, B. Boudart, C. Gaquiere, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2000, pp. 389–392

    Google Scholar 

  177. G. Meneghesso, G. Verzellesi, R. Pierobon, F. Rampazzo, A. Chini, U. Mishra, C. Canali, E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1554 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  178. D. Meyer, J. Flemish, J. Redwing, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Austin, 2007, pp. 305–308

    Google Scholar 

  179. S.D. Meyer, C. Charbonniaud, R. Quere, M. Campovecchio, R. Lossy, J. Würfl, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Philadelphia, 2003, pp. 455–458

    Google Scholar 

  180. M. Micovic, A. Kurdhoghlian, H. Moyer, P. Hashimoto, A. Schmitz, I. Milosavljevic, P. Willadsen, W. Wong, J. Duvall, M. Hu, M. Wetzel, D. Chow, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 173–176

    Google Scholar 

  181. J. Mileham, S. Pearton, C. Abernathy, J. MacKenzie, R. Shul, S. Kilcoyne, Appl. Phys. Lett. 67, 1119 (1995)

    CAS  Google Scholar 

  182. M. Minsky, M. White, E. Hu, Appl. Phys. Lett. 68, 1531 (1996)

    CAS  Google Scholar 

  183. N. Miura, T. Oishi, T. Nanjo, M. Suita, Y. Abe, T. Ozeki, H. Ishikawa, T. Egawa, IEEE Trans. Electron Devices 51, 297 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  184. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, K. Maezawa, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2015 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  185. J. Moon, D. Wong, T. Hussain, M. Micovic, P. Deelmann, H. Ming, M. Antcliffe, C. Ngo, P. Hashimoto, L. McCray, in Device Research Conference, Santa Barbara, 2002, pp. 23–24

    Google Scholar 

  186. J. Moon, S. Wu, D. Wong, I. Milosavljevic, A. Conway, P. Hashimoto, M. Hu, M. Antcliffe, M. Micovic, IEEE Electron Device Lett. 26, 348 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  187. T. Mori, M. Kase, K. Hashimoto, M. Kojima, T. Sugii, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2003, pp. 623–626

    Google Scholar 

  188. H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices. Springer Series in Materials Science, vol. 32 (Springer, Berlin Heidelberg New York, 1999)

    Google Scholar 

  189. H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices. Springer Series in Materials Science, vol. 32 (Springer, Berlin Heidelberg New York, 1999) Chap. 6

    Google Scholar 

  190. Z. Mouffak, N. Medelci-Djezzar, C. Boney, A. Bensaoula, L. Trombetta, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 8, 7 (2003)

    Google Scholar 

  191. T. Murata, M. Hikita, Y. Hirose, Y. Uemoto, K. Inoue, T. Tanaka, D. Ueda, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1042 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  192. S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993)

    CAS  Google Scholar 

  193. T. Nanjo, N. Miura, T. Oishi, M. Suita, Y. Abe, T. Ozeki, S. Nakatsuka, A. Inoue, T. Ishikawa, Y. Matsuda, H. Ishikawa, T. Egawa, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 1925 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  194. M. Neuburger, J. Allgaier, T. Zimmermann, I. Daumiller, M. Kunze, R. Birkhahn, D. Gotthold, E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 25, 256 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  195. G. Neumark, I. Kuskovsky, H. Jiang (eds.), Wide Bandgap Light Emitting Materials and Devices (Wiley-VCH, Weinheim, 2007)

    Google Scholar 

  196. M. Nishijima, T. Murata, Y. Hirose, M. Hikita, N. Negoro, H. Sakai, Y. Uemoto, K. Inoue, T. Tanaka, D. Ueda, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Long Beach, 2005, pp. 299–302

    Google Scholar 

  197. K. Nishizono, M. Okada, M. Kamei, D. Kikuta, K. Tominaga, Y. Ohno, J. Ao, Appl. Phys. Lett. 84, 3996 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  198. S. Nuttinck, S. Pinel, E. Gebara, J. Laskar, M. Harris, in Proceedings of European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Munich, 2003, pp. 213–215

    Google Scholar 

  199. T. Oishi, N. Miura, M. Suita, T. Nanjo, Y. Abe, T. Ozeki, J. Appl. Phys. 94, 1662 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  200. T. Palacios, E. Snow, Y. Pei, A. Chakraborty, S. Keller, S. DenBaars, U.K. Mishra, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 787–789

    Google Scholar 

  201. S. Pearton, J. Zolper, R. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  202. S. Pearton, C. Abernathy, B. Gila, F. Ren, J. Zavada, Y. Park, Solid-State Electron. 48, 1965 (2002)

    Google Scholar 

  203. S. Pearton, C. Abernathy, C. Vartuli, Solid-State Electron. 42, 2269 (1998)

    Google Scholar 

  204. S. Pearton, R. Shul, F. Ren, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 11 (2000)

    Google Scholar 

  205. A. Ping, D. Selvanathan, C. Youtsey, E. Piner, J. Redwing, I. Adesida, Electron. Lett. 35, 2141 (1999)

    Google Scholar 

  206. A. Polyakov, N. Smirnov, A. Govorkov, K. Baik, S. Pearton, B. Luo, F. Ren, J. Zavada, J. Appl. Phys. 94, 3960 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  207. S. Rajan, P. Waltereit, C. Poblenz, S. Heikman, D. Green, J. Speck, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 247 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  208. C. Ramesh, V. Reddy, C. Choi, Mater. Sci. Eng. B 112, 30 (2004)

    Google Scholar 

  209. E. Readinger, J. Robinson, S. Mohney, R. Therrien, Semicond. Sci. Technol. 20, 389 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  210. V. Reddy, S. Kim, J. Song, T. Seong, Solid-State Electron. 48, 1563 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  211. F. Ren, J. Han, R. Hickman, J.V. Hove, P. Chow, J. Klaasen, J. LaRoche, K. Jung, H. Cho, X. Cao, S. Donovan, R. Kopf, R. Wilson, A. Baca, R. Shul, L. Zhang, C. Willison, C. Abernathy, S. Pearton, Solid-State Electron. 44, 239 (2000)

    CAS  Google Scholar 

  212. F. Ren, J. Lothian, S. Pearton, C. Abernathy, C. Vartuli, J. Mackenzie, R. Wilson, R. Karlicek, J. Electron. Mater. 26, 1287 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  213. P. Roussell, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Vancouver, 2006, pp. 231–232

    Google Scholar 

  214. P. Ruterana, M. Albrecht, J. Neugebauer (eds.), Nitride Semiconductors: Handbook on Materials and Device (Wiley-VCH, Weinheim, 2003)

    Google Scholar 

  215. D. Sahoo, R. Lal, H. Kim, V. Tilak, L. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1163 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  216. W. Saito, M. Kuraguchi, Y. Takada, K. Tsuda, I. Otmura, T. Ogura, IEEE Trans. Electron Devices 52, 159 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  217. W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, IEEE Trans. Electron Devices 53, 356 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  218. W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Omura, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2239 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  219. J. Schalwig, G. Müller, U. Karrer, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, L. Görgens, G. Dollinger, Appl. Phys. Lett. 80, 1222 (2002)

    CAS  Google Scholar 

  220. R. Schul, C. Willison, M. Bridges, J. Han, J. Lee, S. Pearton, C. Abernathy, J. Mackenzie, S. Donovan, Solid-State Electron. 42, 2269 (1998)

    Google Scholar 

  221. J. Shealy, in GaAs-IC Symposium Short Course: Emerging Technologies from Defense to Commercial, San Diego, 2003

    Google Scholar 

  222. J. Shealy, in CSIC-IC Symposium Short Course: Emerging Technologies from Defense to Commercial, Palm Springs, 2005

    Google Scholar 

  223. J. Sheats, B. Smith (eds.), Microlithography: Science and Technology (Marcel Dekker, New York, 1998)

    Google Scholar 

  224. B. Shelton, D. Lambert, J. Huang, M. Wong, U. Chowdhury, T. Zhu, H. Kwon, Z. Weber, M. Benarama, M. Feng, R. Dupuis, IEEE Trans. Electron Devices 48, 490 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  225. L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikman, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 7 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  226. J. Sheu, Y. Su, G. Chi, P. Koh, M. Jou, C. Chang, C. Liu, W. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  227. S. Sheu, J. Liou, C. Huang, IEEE Trans. Electron Devices 45, 326 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  228. K. Shiojima, D. McInturrf, J. Woodall, P. Grudowski, C. Eiting, R. Dupuis, J. Electron. Mater. 28, 228 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  229. E. Silkowski, Y. Yeo, R. Hengehold, M. Khan, T. Lei, K. Evans, C. Cerny, in MRS Symposium, First International Conference on Nitride Semiconductors, vol. 395, Boston, 1996, pp. 813–818.

    Google Scholar 

  230. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. Khan, M. Shur, R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  231. D. Siriex, D. Barataud, R. Sommet, O. Noblanc, Z. Ouarch, C. Brylinski, J. Teyssier, R. Quere, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Boston, 2000, pp. 765–768

    Google Scholar 

  232. S. Sivakumar, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 985–988

    Google Scholar 

  233. D. Stocker, E. Schubert, J. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 2654 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  234. S. Strite, P. Epperlein, A. Dommann, A. Rockett, R. Broom, in MRS Symposium, First International Conference on Nitride Semiconductors, vol. 395, Boston, 1996, pp. 795–800.

    Google Scholar 

  235. Y. Su, S. Chang, T. Kuan, C. Ko, J. Webb, W. Lan, Y. Cherng, S. Chen, Mater. Sci. Eng. B 110, 260 (2004)

    Google Scholar 

  236. C.S. Suh, A. Chini, Y. Fu, C. Poblenz, J.S. Speck, U.K. Mishra, in Device Research Conference, State College PA, 2006, pp. 163–166

    Google Scholar 

  237. Y. Sun, L. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1689 (2005)

    Google Scholar 

  238. K. Suzue, S. Mohammad, Z. Fan, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 80, 4467 (1996)

    CAS  Google Scholar 

  239. H. Takenaka, D. Ueda, IEEE Trans. Electron Devices 43, 238 (1996)

    Google Scholar 

  240. K. Tan, D. Streit, R. Dia, S. Wang, A. Han, P. Chow, T. Trinh, P. Liu, J. Velebir, H. Yen, IEEE Electron Device Lett. 12, 213 (1991)

    Google Scholar 

  241. W. Tan, P. Houston, G. Hill, R. Airey, P. Parbook, J. Electron. Mater. 33, 400 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  242. W. Tan, M. Uren, P. Houston, R. Green, R. Balmer, T. Martin, IEEE Electron Device Lett. 27, 1 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  243. R. Therrien, S. Singhal, J. Johnson, W. Nagy, R. Borges, A. Chaudhari, A. Hanson, A. Edwards, J. Marquart, P. Rajagopal, C. Park, I. Kizilyalli, K. Linthicum, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2005, pp. 568–571

    Google Scholar 

  244. R. Thompson, V. Kaper, T. Prunty, J. Shealy, in GaAs IC Symposium Technical Digest, San Diego, 2003, pp. 298–300

    Google Scholar 

  245. R. Thompson, T. Prunty, V. Kaper, J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 51, 292 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  246. V. Tilak, B. Green, H. Kim, R. Dimitrov, J. Smart, W. Schaff, J. Shealy, L. Eastman, in Proceedings of the International Symposium Compound Semiconductors, Monterey, 2000, pp. 357–363

    Google Scholar 

  247. J. Torvik, J. Pankove, B.V. Zeghbroeck, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1326 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  248. D. Tossell, K. Powell, M. Bourke, Y. Song, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, St. Louis, 2000, pp. 79–82

    Google Scholar 

  249. S. Trassaert, B. Boudart, C. Gaquiere, D. Theron, Y. Crosnier, F. Huet, M. Poisson, Electron. Lett. 35, 1386 (1999)

    CAS  Google Scholar 

  250. H. Tseng, C. Capasso, J. Schaeffer, E. Hebert, P. Tobin, D.C. Gilmer, D. Triyoso, M.E. Ramon, S. Kalpat, E. Luckowski, W. Taylor, Y. Jeon, O. Adetutu, R. Hegde, R. Noble, M. Jahanbani, C.E. Chemali, B. White, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 821–824

    Google Scholar 

  251. Y. Uemoto, D. Shibata, M. Yanagihara, H. Ishida, H. Matsuo, S. Nagai, N. Batta, M. Li, T. Ueda, T. Tanaka, D. Ueda, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2007, pp. 861–864

    Google Scholar 

  252. M. Uren, T. Martin, M. Kuball, J. Hayes, B. Hughes, K. Hilton, R. Balmer, in IMS Workshop Wide Bandgap Technologies, Seattle, 2002

    Google Scholar 

  253. M. Uren, K. Nash, R. Balmer, T. Martin, E. Morvan, N. Caillas, S. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, J. de Jaeger, IEEE Trans. Electron Devices 53, 395 (2006)

    CAS  Google Scholar 

  254. I. Usov, N. Parikh, D. Thomson, R. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 7, 1 (2002)

    Google Scholar 

  255. F. van Raay, R. Quay, R. Kiefer, W. Fehrenbach, W. Bronner, M. Kuri, F. Benkhelifa, H. Massler, S. Müller, M. Mikulla, M. Schlechtweg, G. Weimann, in Proceedings of European Gallium Arsenide Other Compound Semiconductors Application Symposium GAAS, Paris, 2005, pp. 233–236

    Google Scholar 

  256. C. Varmazis, G. D’Urso, H. Hendricks, Semiconduct. Int. 23, 87 (2000)

    Google Scholar 

  257. C. Vartuli, S. Pearton, C. Abernathy, J.M. Kenzie, M. Lovejoy, R. Shul, J. Zolper, A. Baca, M. Hagerott-Crawford, K. Jones, F. Ren, Solid-State Electron. 41, 531 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  258. H. Venugopalan, S. Mohney, Appl. Phys. Lett. 73, 1242 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  259. G. Verzellesi, R. Pierobon, F. Rampazzo, G. Meneghesso, A. Chini, U. Mishra, C. Canali, E. Zanoni, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2002, pp. 689–692

    Google Scholar 

  260. R. Vetury, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 2000

    Google Scholar 

  261. R. Vetury, Y. Wu, P.T. Fini, G. Parish, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 1998, pp. 55–58

    Google Scholar 

  262. R. Vetury, N. Zhang, S. Keller, U. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  263. G. Via, S. Binary, D. Judy, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, Miami, 2004, pp. 19–22

    Google Scholar 

  264. A. Wakejima, K. Ota, K. Matsunaga, M. Kuzuhara, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1983 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  265. R. Wang, Y. Cai, C. Tang, K. Lau, K. Chen, IEEE Electron Device Lett. 27, 793 (2005)

    Google Scholar 

  266. W. Wang, Y. Li, C. Lin, Y. Chan, G. Chen, J. Chyi, IEEE Electron Device Lett. 25, 52 (2004)

    Google Scholar 

  267. W. Wang, C. Lin, P. Lin, C. Lin, F. Huang, Y. Chan, G. Chen, J. Chyi, IEEE Electron Device Lett. 25, 763 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  268. W. Wang, P. Lin, C. Lin, C. Lin, Y. Chan, IEEE Electron Device Lett. 26, 5 (2005)

    Google Scholar 

  269. X. Wang, L. He, J. Electron. Mater. 27, 1272 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  270. A. Ward, in IMS Workshop WFI GaN Device and Circuit Reliability, Honolulu, 2007

    Google Scholar 

  271. O. Weidemann, M. Hermann, G. Steinhoff, H. Wingbrant, A. Spetz, M. Stutzmann, M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 773 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  272. J. Wu, J. del Alamo, K. Jenkins, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2000, pp. 477–481

    Google Scholar 

  273. J. Wu, J. Scholvin, J.D. Alamo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 2181 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  274. Y. Wu, PhD thesis, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, 1997

    Google Scholar 

  275. Y. Wu, B. Keller, P. Fini, S. Keller, T. Jenkins, L. Kehias, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  276. Y. Wu, M. Moore, T. Wisleder, P. Chavarkar, U. Mishra, P. Parikh, in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2004, pp. 1078–1079

    Google Scholar 

  277. Y. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. DenBaars, U. Mishra,

    Google Scholar 

  278. Y. Wu, M. Moore, A. Saxler, T. Wisleder, P. Parikh, in Device Research Conference, State College PA, 2006, pp. 151–152

    Google Scholar 

  279. Y. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. Smith, S. Sheppard, P. Chavarkar, T. Wisleder, U. Mishra, P. Parikh, IEEE Electron Device Lett. 25, 117 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  280. Y. Wu, A. Saxler, M. Moore, T. Wisleder, U. Mishra, P. Parikh, in Compound Semiconductor IC Symposium Technical Digest, Palm Springs, 2005, pp. 170–172

    Google Scholar 

  281. H. Xing, P. Chavarkar, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 24, 141 (2003)

    CAS  Google Scholar 

  282. H. Xing, S. DenBaars, U. Mishra, J. Appl. Phys. 97, 113703 (2005)

    Google Scholar 

  283. H. Xing, Y. Dora, A. Chini, S. Heikman, S. Keller, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 161 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  284. H. Xing, L. McCarthy, S. Keller, S. DenBaars, U. Mishra, in Proceedings of the International Symposium Compound Semiconductors, Monterey, 2000, pp. 365–369

    Google Scholar 

  285. Y. Liu, J. Bardwell, S. McAlister, S. Rolfe, H. Tang, J. Webb, J. Appl. Phys. 96, 2674 (2004)

    Google Scholar 

  286. E. Young, H. Hendriks, G. Rojano, R. Baskaran, T. Ritzdorf, J. Klocke, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, San Diego, 2002, pp. 180–183

    Google Scholar 

  287. C. Youtsey, I. Adesida, G. Bulman, Electron. Lett. 33, 245 (1997)

    CAS  Google Scholar 

  288. C. Youtsey, I. Adesida, L. Romano, G. Bulman, Appl. Phys. Lett. 72, 560 (1999)

    Google Scholar 

  289. H. Yu, L. McCarthy, S. Rajan, S. Keller, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 26, 283 (2005)

    CAS  Google Scholar 

  290. H. Yu, L. McCarthy, H. Xing, P. Waltereit, L. Shen, S. Keller, S. DenBaars, J. Speck, U. Mishra, Appl. Phys. Lett. 85, 5254 (2004)

    CAS  Google Scholar 

  291. L. Yu, L. Jia, D. Qiao, S. Lau, J. Li, J. Lin, H. Jiang, IEEE Trans. Electron Devices 50, 500 (2003)

    Google Scholar 

  292. L. Yu, D. Qiao, Q. Xing, S. Lau, K. Boutros, J. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 238 (1998)

    CAS  Google Scholar 

  293. H.V. Zeijl, L. Nanver, in Solid-State Circuits Technical Conference, Beijing, 1998, pp. 98–101

    Google Scholar 

  294. N. Zhang, S. Keller, F. Parish, S. Heikman, S. DenBaars, U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 21, 373 (2000)

    Google Scholar 

  295. N. Zhang, B. Moran, S. DenBaars, U. Mishra, X. Wang, T. Ma, in IEDM Technical Digest, Washington DC, 2001, pp. 589–592

    Google Scholar 

  296. C. Zhu, W. Fong, B. Leung, C. Cheng, C. Surya, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1225 (2001)

    CAS  Google Scholar 

  297. J. Zolper, M. Crawford, A. Howard, S. Pearton, R. Abernathy, C. Vartuli, C. Yuan, R. Stall, J. Ramer, S. Hersee, R. Wilson, in MRS Symposium, First International Conference on Nitride Semiconductors, vol. 395, Boston, 1996, pp. 801–806.

    Google Scholar 

  298. J. Zolper, R. Shul, A. Baca, R. Wilson, S. Pearton, R. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996)

    CAS  Google Scholar 

Download references

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 2008 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

About this chapter

Cite this chapter

(2008). Device Processing Technology. In: Gallium Nitride Electronics. Springer Series in Materials Science, vol 96. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5_4

Download citation

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation