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In this paper, a design of high-speed power-off circuit and analysis. The incidence of high-dose transient radiation into the silicon-based semiconductor element induces the photocurrent due to the creation of electron-hole pairs, which causes the upset phenomenon of active elements or triggers the parasitic thyristor in the element, resulting in latch-up. High speed power-off circuit was designed to prevent burn-out of electronic device caused by Latch-up. The proposed high speed power-off circuit was configured with the darlington transistor and photocoupler so that the power was interrupted and recovered without the need for an additional circuit, in order to improve the existing problem of SCR off when using the thyristor. The discharge speed of the high speed power interruption circuit was measured to be 19 ㎲ with 10 ㎌ and 500 Ω load, which was 98% shorter than before (12.8 ㎳).
#Power-off #Latch-up #Transient Radiation Effects (TRE)

목차

Abstract
1. 서론
2. 고속 전원차단회로
3. 결론
References

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
1. [단행본] - George C Messenger / 1992 / The effects of radiation on electronic systems / Van Nostrand Reinhold, cop. google schola 2. [단행본] - Lewis Cohn / 1996 / Transient Radiation Effects on Electronics(TREE) Handbook / Defence Nuclear Agency google schola 3. [인터넷자원] - Larry L. / / NUCLEAR EVENT DETECTOR google schola 4. [인터넷자원] - Douglas G. / / SOLID STATE CROWBAR CIRCUIT google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 오승찬 / 2012 / 즉발감마선에 의한 상용전자소자의 피해현상분석 연구 / 전기학회논문지 61 (10) : 1448 ~ 1453 Crossref

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