茨城大学大学院理工学研究科 日立協和エンジニアリング株式会社デバイスシステムセンター
日立協和エンジニアリング株式会社デバイスシステムセンター
茨城大学大学院理工学研究科
2010 年 13 巻 3 号 p. 213-219
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
電解銅めっきによるViaの貫通電極形成技術は,三次元実装技術のキープロセスである。本研究では,めっき時間の短縮を目的として開発した新コンセプトめっき装置を用いることにより,10 μm,アスペクト比7.0の貫通電極にCuを完全に埋め込むためのめっき時間を,従来法に比べ最大約60%低減できるめっきプロセスを開発した。得られたCu貫通電極の微細構造および抵抗率は従来法のそれとほぼ同等であることがわかった。
HYBRIDS
サーキットテクノロジ
SHM会誌
回路実装学会誌
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら