References
R. Kay, R. Bean, K. Zanio, C. Ito and D. Mcityre, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 2211.
T. J. De Lyon, J. A. Roth, O. K. Wu, S. M. Johnson and C. A. Cockrum, ibid. 63 (1993) 818.
B. Dietrich, H. J. Osten, H. Rocker, M. Methfessel and P. Zaumseil, Phys. Rev. B 49 (1994) 17185.
P. N. Uppal and H. Kroemer, J. Appl. Phys. 58 (1985) 2195.
T. H. Windhorn and G. H. Metze, Appl. Phys. Lett. 47 (1981) 1031.
S. M. Vernon, V. E. Haven, S. P. Tobin and R. G. Wolfson, J Cryst. Growth 77 (1986) 580.
J. Y. Leem, D. Y. Kim, T. W. Kang, J. J. Lee and J. E. Oh, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 2228.
M. K. Lee, R. H. Horng, D. S. Wuu and P. C. Chen, ibid. 59 (1991) 207.
D. Y. Kim, T. W. Kang, J. Y. Leem and T. W. Kim, J. Appl. Phys. 74 (1993) 4268.
Y. Fukuda, Y. Kadota and Y. Ohmachi, Jpn. J Appl. Phys. 27 (1988) 485.
P. Sheldon, B. G. Yacobi, K. M. Jones and D. J. Donlevy, J. Appl. Phys. 58 (1985) 4186.
A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133 (1986) 666.
Y. J. Mii, T. L. Lin, Y. C. Kao, B. J. Wu, K. L. Wang, C. W. Nieh, D. N. Jamieson and J. K. Liu, J Vacuum Sci. Technol. B 6 (1988) 696.
O. Modelung, N. Schulz and H. Weiss, (editors) “Landolt-Bornstein”, Vol. 17b (Springer, Heidelberg, 1982).
B. A. Weinstein and M. Cardona, Phys. Rev. B 5 (1972) 3120.
R. Fisher, W. T. Masselink, J. Klem, T. Henderson, T. C. Mcglinn, M. V. Klein, H. Morkoc, J. H. Mazer and J. Washburn, J. Appl. Phys. 58 (1985) 374.
F. Cerdeira, C. J. Buchenauer, F. H. Pollak and M. Cardona, Phys. Rev. B 5 (1972) 580.
W. Stoltz, F. E. G. Guimaraes and K. Ploog, J. Appl. Phys. 63 (1988) 492.
Y. Fukuda, Y. Kadota and Y. Ohmachi, Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) 485.
Y. Chen, A. Freundlich, H. Kamada and G. Neu, Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 45.
A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133 (1986) 666.
R. M. Lum, J. K. Klingert, B. A. Davidson and M. G. Lamont, Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 36.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Woo, Y.D., Lee, H.I., Kang, T.W. et al. Reduction of the dislocation density for GaAs thin films on Si substrates grown by molecular beam epitaxy using the two-step growth method. J Mater Sci Lett 14, 1340–1343 (1995). https://doi.org/10.1007/BF00270721
Received:
Accepted:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00270721